快科技12月5日音信，据媒体报说念，行将在海外固态电路会议（ISSCC）上展示其最新的第10代卓越400层3D NAND Flash，接口速率可达5.6 GT/s。

三星的这一新一代V-NAND保执了TLC（三级单位，或每个单位3位）架构，每个芯片的容量为1Tb（128GB）。

三星宣称，其新的超400层3D TLC NAND Flash的存储密度达到了28 Gb/mm²，略低于其1Tb 3D QLC V-NAND的28.5 Gb/mm²，后者是现活着界上存储密度最高的NAND Flash。

此外，三星第10代V-NAND的接口速率达到5.6 GT/s，较着快于长江存储的3.6 GT/s。

在5.6 GT/s的速率下，颠倒于约700 MB/s的数据传输速率，意味着其中10个设立不错使PCIe4.0 x4接口裕如，而20个足以使超快的PCIe5.0x4接口裕如。

三星议论在ISSCC 10上推出第10代V-NAND，因此很可能在来岁运行批量出产这种NAND Flash，仅仅尚不明晰新何时会插足三星我方的SSD。